杨俊杰，2021级香港六合彩玄机
微电子科学与工程专业博士研究生。研究方向为氮化镓功率器件及集成电路，目前以第一作者/共同一作在国际知名会议和期刊上发表高质量学术论文19篇，包括EDL、TED、IEDM、VLSI、ISPSD等国际顶级期刊和会议，相关工作连续三年被誉为微电子领域奥林匹克会议IEDM接收，彰显其学术国际影响力和科研创新能力。申请国家发明专利7项，授权3项，申请美国专利2项。入选2024年中国科协青年人才托举工程博士生专项计划，获批2024年国家自然科学基金青年学生基础研究项目。此外，于博士期间连续两次获得国家奖学金、北京大学校长奖学金，还获得北京大学三好学生标兵、北京大学三好学生、“学术之芯”、华为一等奖等荣誉。
攻坚克难，立足国家战略需求
杨俊杰热爱学术研究，积极探讨学术前沿，对待科研问题充满探索精神，勇于接受科研挑战，对待学术研究充满热情。面向国家“双碳”目标和构建新型电力系统的发展需求，他专注于研究以“宽禁带半导体氮化镓材料”为核心的微电子器件与集成电路研究，氮化镓技术将带来能源管理系统效率和功率密度的突破性提升，是目前国际科研前沿和产业关键竞争领域。在未来，GaN系统将往更高集成密度和更高电压等级方向发展，仍需克服一系列关键科学问题，需要底层器件技术作为支撑。因此，杨俊杰在GaN器件层面展开一系列技术攻关。
现有的GaN单片集成电路电压等级仅满足200V应用。因此，杨俊杰提出了一种基于虚体技术的GaN功率集成平台，首次将GaN单片集成技术电压等级突破至650V，相关成果以第一作者发表IEDM顶会论文一篇，期刊EDL、TED论文各一篇，申请专利二项。继续在该领域进行探索并完成技术突破，在国际上首次提出三千伏GaN功率集成平台，独立完成工艺开发和芯片制备，芯片集成多种低压模块以满足驱动回路的需求，同时集成千伏级高压GaN晶体管和二极管以满足功率回路的需求。相关成果以第一作者发表VLSI顶会论文、ISPSD论文各一篇，期刊EDL论文一篇，申请专利一项。
他始终坚信，学术研究的终极意义在于服务社会发展，超压万伏级器件是国家电力传输网络和供电体系基础设施建设的关键支撑组件。他围绕超高压GaN器件展开探索，提出超结GaN功率器件技术，掌握器件的关键设计原理和工艺技术，制备的器件耐压能力突破万伏高压，实现了3.8GW/cm2的功率品质因素，性能位于国际前列，是国内首个报道的万伏级GaN HEMT晶体管。攻克高场陷阱效应问题，器件在6.5kV开关应力下实现稳定运行，国际首次报道GaN晶体管在6.5kV应力后的低电阻特性。相关成果以第一作者发表IEDM顶会论文一篇，期刊EDL论文一篇，申请专利二项。
GaN器件面临阈值电压不稳定性和栅极驱动电压摆幅低等问题，提高器件误开启导致系统烧毁的风险。他提出一种配置电势稳定网络的新型GaN功率晶体管，一方面将器件的栅极耐压水平提升至19.5V，一方面消除栅极电荷存储效应，攻克动态开关过程中的阈值电压漂移问题，为GaN功率器件产业化拓展提出新的解决方案，相关成果以第一作者发表IEDM顶会论文、ISPSD论文各一篇，期刊EDL论文一篇，申请发明专利二项。
研途互助，共磨科研硬核本领
在深耕个人研究之余，杨俊杰始终秉持 “同行共进” 的理念，积极助力同门成长。他曾耐心协助本科同学涉足 IGBT 功率器件领域，从研究方向梳理到成果凝练全程指导，最终以共同一作身份将相关成果发表于国际权威期刊TED。针对师弟师妹科研入门需求，他整合自身经验提出多种创新技术方法，牵头开展科研攻关，从基础工艺学习、科学问题探索，到论文框架搭建与撰写打磨，多维度引导团队快速适配科研节奏。凭借精准指导与高效协作，成功斩获丰硕成果：以共同一作发表 IEDM 顶会论文 1 篇、EDTM 论文 2 篇，期刊EDL、APL论文各 1 篇，同步申请发明专利 3 项，用实际成果诠释了互助共赢的科研精神。
在燕园的培养下，他始终以 “追求卓越” 为目标，在学术与创新的道路上步履不停。他用一篇篇高质量论文、一项项创新性成果，证明了专注与深耕的力量，也展现了新时代北大青年在专业领域勇攀高峰的决心与担当。未来，他将继续聚焦功率器件领域，以更饱满的热情投入研究，力争产出更多有价值的学术成果，不负燕园期许。
